Как мы работаем
По сертификату
"военный регистр"
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
мелкий и крупный опт
Цена по запросу
BIDD05N60T
Semiconductors\Discrete SemiconductorsThe Bourns IGBT device combines technology from a MOS gate and a bipolar transistor for an optimum component for high voltage and high current applications.
| Configuration | Single Diode |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 600 V |
| Maximum Continuous Collector Current | 5 A |
| Maximum Gate Emitter Voltage | ±30V |
| Maximum Power Dissipation | 82 W |
| Number of Transistors | 1 |
| Package Type | TO-252 |
Похожие товары
Цена по запросу
Цена по запросу
Цена по запросу
Цена по запросу
