Как мы работаем
По сертификату
"военный регистр"
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
мелкий и крупный опт
Цена по запросу
BS108ZL1G, Транзистор полевой N-канальный 200В 0.25А 0.35Вт
Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 200
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 0.25
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 8 ом при 0.1a, 2.8в
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 0.35
Крутизна характеристики, S 0.33
Корпус to92
Особенности высоковольтный драйвер
Пороговое напряжение на затворе 1.5
Вес, г 0.3
ON Semiconductor
| Напряжение исток-сток макс. | 200В |
| Ток стока макс. | 250мА |
| Сопротивление открытого канала | 8 Ом |
| Мощность макс. | 350мВт |
| Тип транзистора | N-канал |
| Особенности | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс. | 1.5В |
| Входная емкость | 150пФ |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Корпус | TO92/formed lead |
| Вес брутто | 0.5 г. |
| Наименование | BS108ZL1G |
| Производитель | ON Semiconductor |
| Описание Eng | N-VMOS 200V 0,25A 0,35W 8 Ом |
| Тип упаковки | Amunition Pack (лента в коробке) |
| Нормоупаковка | 2000 шт |
