Как мы работаем

По сертификату
"военный регистр"

Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт

Цена по запросу

BSC035N10NS5ATMA1, MOSFETs 100VPower transistor OptiMOS 5

Unclassified Описание Транзистор полевой BSC035N10NS5ATMA1 от производителя INFINEON выделяется высокими показателями эффективности и надежности. Этот N-MOSFET транзистор, выполненный в компактном корпусе PG-TDSON-8, предназначен для SMD монтажа. Он способен управлять током стока до 100 А при напряжении сток-исток 100 В, что делает его идеальным выбором для мощных применений. Имея мощность 156 Вт и очень низкое сопротивление в открытом состоянии всего 0,0035 Ом, BSC035N10NS5ATMA1 обеспечивает высокую эффективность и минимальные потери мощности. Использование этого компонента гарантирует улучшение производительности ваших электронных устройств. Код продукта для поиска: BSC035N10NS5ATMA1. Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид N-MOSFET Монтаж SMD Ток стока, А 100 Напряжение сток-исток, В 100 Мощность, Вт 156 Сопротивление в открытом состоянии, Ом 0.0035 Корпус PG-TDSON-8

Категория	Транзистор
Тип	полевой
Вид	N-MOSFET
Монтаж	SMD
Ток стока, А	100
Напряжение сток-исток, В	100
Мощность, Вт	156
Сопротивление в открытом состоянии, Ом	0.0035
Корпус	PG-TDSON-8
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C	100A(Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)	100V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	87nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	6500pF @ 50V
Manufacturer	Infineon Technologies
Mounting Type	Surface Mount
Operating Temperature	-55В°C ~ 150В°C(TJ)
Package / Case	8-PowerTDFN
Packaging	Tape & Reel(TR)
Part Status	Active
Power Dissipation (Max)	2.5W(Ta), 156W(Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.5 mOhm @ 50A, 10V
Series	OptiMOSв(ў
Standard Package	5
Supplier Device Package	PG-TDSON-8
Technology	MOSFET(Metal Oxide)
Vgs (Max)	В±20V
Vgs(th) (Max) @ Id	3.8V @ 115ВµA
Channel Mode	Enhancement
Channel Type	N
Forward Diode Voltage	1.1V
Maximum Continuous Drain Current	100 A
Maximum Drain Source Resistance	3.5 mΩ
Maximum Drain Source Voltage	100 V
Maximum Gate Source Voltage	20 V
Maximum Gate Threshold Voltage	3.8V
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Maximum Power Dissipation	156 W
Minimum Gate Threshold Voltage	2.2V
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Number of Elements per Chip	1
Package Type	TDSON
Pin Count	8
Transistor Configuration	Single
Typical Gate Charge @ Vgs	70 nC @ 10 V
Width	6.35mm
Вес, г	0.239