Как мы работаем
По сертификату
"военный регистр"
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
мелкий и крупный опт
Цена по запросу
BSD223PH6327XTSA1, Транзистор: P-MOSFET, полевой, -20В, -0,39А, 0,25Вт, PG-SOT-363
Транзисторы Описание Транзистор полевой BSD223PH6327XTSA1 от ведущего производителя INFINEON – это высокоэффективный компонент для современной электроники. С монтажом типа SMD, он характеризуется током стока в 0,39 А и напряжением сток-исток до 20 В, что обеспечивает надежную работу в широком диапазоне применений. Мощность транзистора составляет 0,25 Вт, а сопротивление в открытом состоянии – всего 1,2 Ом, что гарантирует его эффективную работу. Модель N-MOSFET упакована в компактный корпус PG-SOT-363, идеально подходит для поверхностного монтажа. Используйте BSD223PH6327XTSA1 для повышения производительности вашей электронной аппаратуры. Характеристики
Категория
Транзистор
Тип
полевой
Вид
N-MOSFET
Монтаж
SMD
Ток стока, А
0.39
Напряжение сток-исток, В
20
Мощность, Вт
0.25
Сопротивление в открытом состоянии, Ом
1.2
Корпус
PG-SOT-363
| Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | N-MOSFET |
| Монтаж | SMD |
| Ток стока, А | 0.39 |
| Напряжение сток-исток, В | 20 |
| Мощность, Вт | 0.25 |
| Сопротивление в открытом состоянии, Ом | 1.2 |
| Корпус | PG-SOT-363 |
| Channel Type | P |
| Maximum Continuous Drain Current | 390 mA |
| Maximum Drain Source Voltage | 20 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Package Type | SOT-363 |
| Pin Count | 6 |
| Brand | Infineon Technologies |
| Channel Mode | Enhancement |
| Configuration | Dual |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity | 3000 |
| Fall Time | 3.2 ns |
| Forward Transconductance - Min | 350 mS |
| Id - Continuous Drain Current | 390 mA |
| Manufacturer | Infineon |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Number of Channels | 2 Channel |
| Package / Case | SOT-363-6 |
| Part # Aliases | BSD223P H6327 SP000924074 |
| Pd - Power Dissipation | 250 mW |
| Product Category | MOSFET |
| Product Type | MOSFET |
| Qg - Gate Charge | 500 pC |
| Qualification | AEC-Q101 |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 1.2 Ohms |
| Rise Time | 5 ns |
| Series | BSD223 |
| Subcategory | MOSFETs |
| Technology | Si |
| Transistor Polarity | P-Channel |
| Transistor Type | 2 P-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time | 5.1 ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 3.8 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 20 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | -12 V, +12 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 600 mV |
| Transistor Polarity | P Channel; Continuous Drain Current Id |
| Вес, г | 0.02 |
