Контакты
с 8:00 до 22:00
без выходных
8 (812) 920-85-20
многоканальный
info@bastionit.ru Заказать звонок

Как мы работаем

По сертификату
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
BSP129 H6327, Транзистор N-MOSFET 240В 350мА [SOT-223]
Цена по запросу

BSP129 H6327, Транзистор N-MOSFET 240В 350мА [SOT-223]

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families.
Base Product Number BSP129 ->
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C 350mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 240V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 0V, 10V
ECCN EAR99
FET Feature Depletion Mode
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 5.7nC @ 5V
HTSUS 8541.29.0095
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 108pF @ 25V
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55В°C ~ 150В°C (TJ)
Package Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Package / Case TO-261-4, TO-261AA
Power Dissipation (Max) 1.8W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6Ohm @ 350mA, 10V
REACH Status REACH Unaffected
RoHS Status ROHS3 Compliant
Series SIPMOSВ® ->
Supplier Device Package PG-SOT223-4
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) В±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 108ВµA
Вес, г 0.4

Дмитрий Тест

Хороший проц
Плюсы:
Да
Минусы:
Нет

Андрюшка

Нормуль
Плюсы:
Плюсы!

Заказать звонок

Заполните форму и мы перезвоним вам в течение 10 минут

Нажимая кнопку, я даю согласие на обработку персональных данных