Как мы работаем

По сертификату
"военный регистр"

Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт

Цена по запросу

BSP135H6327XTSA1, , силовой МОП-транзистор , N-канал, 120 мА, 600 В, 25 Ом, 10 В, -1.4 В, корпус SOT-223-3

ТРАНЗИСТОРЫ\Транзисторы разныеInfineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families.

Корпус	SOT-223
Диапазон рабочих температур	-55…+150 °С
Описание	MOSFET N-Ch 600V 120mA SOT-223-3
Способ монтажа	поверхностный(SMT)
Тип	MOSFET
Тип проводимости	N
Упаковка	REEL, 1000 шт.
RoHS Compliant	Yes
Channel Mode	Depletion
Channel Type	N
Maximum Continuous Drain Current	120 mA
Maximum Drain Source Resistance	45 Ω
Maximum Drain Source Voltage	600 V
Maximum Gate Source Voltage	-20 V, +20 V
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Maximum Power Dissipation	1.8 W
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	1
Package Type	SOT-223
Pin Count	3
Series	SIPMOS
Transistor Configuration	Single
Transistor Material	Si
Typical Gate Charge @ Vgs	3.7 nC @ 5 V
Width	3.5mm
Maximum Gate Threshold Voltage	1V
Minimum Gate Threshold Voltage	2.1V
Вес, г	0.195