Как мы работаем
По сертификату
"военный регистр"
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
мелкий и крупный опт
![BSP250,115, Транзистор Enhancement Mode D-MOS, P-канал, 30В, 3А [SOT-223]](/images/placeholder.jpg)
Цена по запросу
BSP250,115, Транзистор Enhancement Mode D-MOS, P-канал, 30В, 3А [SOT-223]
The BSP250.115 is a -30V P-channel Enhancement Mode vertical D-MOS Transistor with high speed switching and low on resistance makes this device suitable for use in low loss motor, actuator drivers and power switching applications.
• 150°C Junction temperature
Структура | P-канал |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 3 |
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.25 Ом/1А, 10В |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1.65 |
Корпус | SOT-223 |
Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1 - Безлимитный |
Стиль Корпуса Транзистора | SOT-223 |
Рассеиваемая Мощность | 5Вт |
Полярность Транзистора | P Канал |
Напряжение Истока-стока Vds | -30В |
Непрерывный Ток Стока | -1А |
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.25Ом |
Напряжение Измерения Rds(on) | -10В |
Пороговое Напряжение Vgs | -2.8В |
Вес, г | 0.4 |