Как мы работаем

По сертификату
"военный регистр"

Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт

Цена по запросу

BSP297H6327XTSA1, Транзистор МОП N-канал 200В 0,66A 1,8Вт 1,8Ом SOT2

Описание Транзистор полевой BSP297H6327XTSA1 от известного производителя INFINEON – это высококачественный N-MOSFET компонент, предназначенный для монтажа в SMD-технике. С током стока 0,66 А и напряжением сток-исток 200 В, данный транзистор обеспечивает стабильную работу в различных электронных схемах. Мощность устройства составляет 1,8 Вт, а сопротивление в открытом состоянии – всего 1,8 Ом, что гарантирует его эффективность и надежность в использовании. Компактный корпус SOT223 обеспечивает удобство монтажа и экономию пространства на плате. Ищите BSP297H6327XTSA1 для своих проектов, где требуется надежный и долговечный компонент. Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид N-MOSFET Монтаж SMD Ток стока, А 0.66 Напряжение сток-исток, В 200 Мощность, Вт 1.8 Сопротивление в открытом состоянии, Ом 1.8 Корпус SOT223

Категория	Транзистор
Тип	полевой
Вид	N-MOSFET
Монтаж	SMD
Ток стока, А	0.66
Напряжение сток-исток, В	200
Мощность, Вт	1.8
Сопротивление в открытом состоянии, Ом	1.8
Корпус	SOT223
Brand	Infineon Technologies
Channel Mode	Enhancement
Configuration	1 N-Channel
Factory Pack Quantity	1000
Fall Time	19 ns
Forward Transconductance - Min	470 mS
Height	1.6 mm
Id - Continuous Drain Current	660 mA
Length	6.5 mm
Manufacturer	Infineon
Maximum Operating Temperature	+150 C
Minimum Operating Temperature	-55 C
Mounting Style	SMD/SMT
Number of Channels	1 Channel
Package / Case	SOT-223-4
Packaging	Reel
Part # Aliases	BSP297 H6327 SP001058622
Pd - Power Dissipation	1.8 W
Product Category	MOSFET
Qg - Gate Charge	16.1 nC
Rds On - Drain-Source Resistance	1 Ohms
Rise Time	3.8 ns
RoHS	Details
Series	BSP297
Technology	Si
Transistor Polarity	N-Channel
Transistor Type	1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time	49 ns
Typical Turn-On Delay Time	5.2 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	200 V
Vgs - Gate-Source Voltage	20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	800 mV
Width	3.5 mm
Configuration	Single
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity	1000
Product Type	MOSFET
Qg - Gate Charge	12.9 nC
Qualification	AEC-Q101
Rds On - Drain-Source Resistance	1.2 Ohms
Subcategory	MOSFETs
Vgs - Gate-Source Voltage	-20 V, +20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	1.4 V
Package/Case	SOT-223-4
Channel Type	N
Maximum Continuous Drain Current	660 mA
Maximum Drain Source Resistance	1.8 Ω
Maximum Drain Source Voltage	200 V
Maximum Gate Source Voltage	-20 V, +20 V
Maximum Gate Threshold Voltage	1.8V
Maximum Power Dissipation	1.8 W
Minimum Gate Threshold Voltage	0.8V
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	1
Package Type	SOT-223
Pin Count	3
Transistor Configuration	Single
Transistor Material	Si
Typical Gate Charge @ Vgs	12.9 nC @ 10 V
Вес, г	0.16