Как мы работаем

По сертификату
"военный регистр"

Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт

Цена по запросу

BSP92PH6327XTSA1, Транзистор P-МОП, полевой, -250В, -260мА, 1,8Вт, PG-SOT223

Транзисторы Описание Полевой транзистор BSP92PH6327XTSA1 производства INFINEON представляет собой высококачественный N-MOSFET, разработанный для применения в современной электронике. Данный компонент обеспечивает ток стока до 0,26 А и может работать при напряжении сток-исток до 250 В. Он характеризуется мощностью 1,8 Вт и низким сопротивлением в открытом состоянии всего 12 Ом, что делает его эффективным в управлении электрическими нагрузками. Монтаж этого транзистора осуществляется методом поверхностного монтажа (SMD), а благодаря корпусу PG-SOT223 он легко интегрируется в различные электронные схемы. Выбирая BSP92PH6327XTSA1 для своих проектов, вы получаете надежный компонент от признанного лидера в области полупроводниковых технологий. Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид N-MOSFET Монтаж SMD Ток стока, А 0.26 Напряжение сток-исток, В 250 Мощность, Вт 1.8 Сопротивление в открытом состоянии, Ом 12 Корпус PG-SOT223

Категория	Транзистор
Тип	полевой
Вид	N-MOSFET
Монтаж	SMD
Ток стока, А	0.26
Напряжение сток-исток, В	250
Мощность, Вт	1.8
Сопротивление в открытом состоянии, Ом	12
Корпус	PG-SOT223
Base Product Number	BSP92PH6327 ->
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C	260mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss)	250V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	2.8V, 10V
ECCN	EAR99
FET Type	P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	5.4nC @ 10V
HTSUS	8541.29.0095
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	104pF @ 25V
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Mounting Type	Surface Mount
Operating Temperature	-55В°C ~ 150В°C (TJ)
Package	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Package / Case	TO-261-4, TO-261AA
Power Dissipation (Max)	1.8W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	12Ohm @ 260mA, 10V
REACH Status	REACH Unaffected
RoHS Status	ROHS3 Compliant
Series	SIPMOSВ® ->
Supplier Device Package	PG-SOT223-4
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	В±20V
Vgs(th) (Max) @ Id	2V @ 130ВµA
Channel Mode	Enhancement
Channel Type	P
Maximum Continuous Drain Current	260 mA
Maximum Drain Source Resistance	20 Ω
Maximum Drain Source Voltage	250 V
Maximum Gate Source Voltage	-20 V, +20 V
Maximum Gate Threshold Voltage	2V
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Maximum Power Dissipation	1.8 W
Minimum Gate Threshold Voltage	1V
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Number of Elements per Chip	1
Package Type	SOT-223
Pin Count	3
Transistor Configuration	Single
Transistor Material	Si
Typical Gate Charge @ Vgs	4.3 nC @ 10 V
Width	3.5mm
Вес, г	0.01