Как мы работаем

По сертификату
"военный регистр"

Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт

Цена по запросу

BSR802NL6327HTSA1, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 20В, 3,7А, 0,5Вт, SC59

Транзисторы Описание Транзистор полевой BSR802NL6327HTSA1 производства INFINEON представляет собой высококачественный N-MOSFET компонент, обеспечивающий оптимальный контроль тока в электронных устройствах. Монтаж данного элемента осуществляется с помощью поверхностного монтажа (SMD), что делает его удобным для интеграции в современные печатные платы. Транзистор способен управлять током стока до 3,7 А при напряжении сток-исток 20 В, обладая при этом низким сопротивлением в открытом состоянии всего 0,032 Ом, что свидетельствует о его высокой эффективности. Мощность устройства составляет 0,5 Вт, а его компактный корпус SC-59 идеально подходит для мелкосерийного и массового производства электроники. Артикул BSR802NL6327HTSA1 станет надежным и долговечным компонентом в любой схеме. Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид N-MOSFET Монтаж SMD Ток стока, А 3.7 Напряжение сток-исток, В 20 Мощность, Вт 0.5 Сопротивление в открытом состоянии, Ом 0.032 Корпус SC-59

Категория	Транзистор
Тип	полевой
Вид	N-MOSFET
Монтаж	SMD
Ток стока, А	3.7
Напряжение сток-исток, В	20
Мощность, Вт	0.5
Сопротивление в открытом состоянии, Ом	0.032
Корпус	SC-59
Brand	Infineon Technologies
Channel Mode	Enhancement
Configuration	Single
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity	3000
Fall Time	4.1 ns
Forward Transconductance - Min	16 S
Id - Continuous Drain Current	3.7 A
Manufacturer	Infineon
Maximum Operating Temperature	+150 C
Minimum Operating Temperature	-55 C
Mounting Style	SMD/SMT
Number of Channels	1 Channel
Package/Case	SOT-23-3
Part # Aliases	BSR802N L6327 SP000442484
Pd - Power Dissipation	500 mW
Product Category	MOSFET
Product Type	MOSFET
Qg - Gate Charge	4.7 nC
Rds On - Drain-Source Resistance	17 mOhms
Rise Time	18 ns
Series	BSR802
Subcategory	MOSFETs
Technology	Si
Transistor Polarity	N-Channel
Transistor Type	1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time	26 ns
Typical Turn-On Delay Time	9.8 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	20 V
Vgs - Gate-Source Voltage	-8 V, +8 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	550 mV
Channel Type	N
Maximum Continuous Drain Current	370 mA
Maximum Drain Source Voltage	20 V
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	1
Package Type	SOT-223
Pin Count	3
Вес, г	0.03