Как мы работаем

По сертификату
"военный регистр"

Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт

Цена по запросу

BSS123LT1G, Транзистор полевой,МОП n-канальный, 100В, 170мА, 3

Транзисторы Описание Транзистор полевой,МОП n-канальный, 100В, 170мА, 3 Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET

Категория	Транзистор
Тип	полевой
Вид	MOSFET
Максимальная рабочая температура	+150 °C
Максимальный непрерывный ток стока	170 мА
Тип корпуса	SOT-23
Максимальное рассеяние мощности	225 мВт
Тип монтажа	Поверхностный монтаж
Ширина	1.3мм
Высота	0.94мм
Размеры	2.9 x 1.3 x 0.94мм
Материал транзистора	SI
Количество элементов на ИС	1
Длина	2.9мм
Transistor Configuration	Одинарный
Типичное время задержки включения	20 ns
Производитель	ON Semiconductor
Типичное время задержки выключения	40 нс
Минимальная рабочая температура	-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage	2.8V
Максимальное сопротивление сток-исток	6 Ω
Максимальное напряжение сток-исток	100 В
Число контактов	3
Категория	Мощный МОП-транзистор
Номер канала	Поднятие
Типичная входная емкость при Vds	20 пФ при 25 В
Тип канала	N
Максимальное напряжение затвор-исток	-20 В, +20 В
Channel Mode	Enhancement
Channel Type	N
Maximum Continuous Drain Current	170 mA
Maximum Drain Source Resistance	6 Ω
Maximum Drain Source Voltage	100 V
Maximum Gate Source Voltage	-20 V, +20 V
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Maximum Power Dissipation	225 mW
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	1
Package Type	SOT-23
Pin Count	3
Transistor Material	Si
Width	1.3mm
Вес, г	0.05