Контакты
с 8:00 до 22:00
без выходных
8 (812) 920-85-20
многоканальный
sales@bastion24.ru Заказать звонок

Как мы работаем

По сертификату
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
BSS138-7-F, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 50В 200мА, 0.3Вт
Цена по запросу

BSS138-7-F, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 50В 200мА, 0.3Вт

Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторыТранзистор полевой MOSFET N-канальный 50В 200мА, 0.3Вт
Корпус sot-23
Максимальная рабочая температура +150 °C
Количество элементов на ИС 1
Длина 3мм
Transistor Configuration Одинарный
Типичное время задержки включения 20 нс
Производитель DiodesZetex
Типичное время задержки выключения 20 нс
Максимальный непрерывный ток стока 200 mA
Тип корпуса SOT-23
Максимальное рассеяние мощности 300 мВт
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Минимальная рабочая температура -55 °C
Ширина 1.4мм
Maximum Gate Threshold Voltage 1.35V
Высота 1.1мм
Максимальное сопротивление сток-исток 3.5 Ω
Максимальное напряжение сток-исток 50 В
Число контактов 3
Размеры 3 x 1.4 x 1.1мм
Категория Малый сигнал
Материал транзистора Кремний
Номер канала Поднятие
Типичная входная емкость при Vds 50 пФ при 10 В
Тип канала N
Максимальное напряжение затвор-исток -20 В, +20 В
Channel Mode Enhancement
Channel Type N
Maximum Continuous Drain Current 200 mA
Maximum Drain Source Resistance 3.5 Ω
Maximum Drain Source Voltage 50 V
Maximum Gate Source Voltage -20 V, +20 V
Maximum Operating Temperature +150 °C
Maximum Power Dissipation 300 mW
Minimum Operating Temperature -55 °C
Mounting Type Surface Mount
Number of Elements per Chip 1
Package Type SOT-23
Pin Count 3
Transistor Material Si
Width 1.4mm
Brand Diodes Incorporated
Configuration Single
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity 3000
Forward Transconductance - Min 100 mS
Id - Continuous Drain Current 200 mA
Manufacturer Diodes Incorporated
Maximum Operating Temperature +150 C
Minimum Operating Temperature -55 C
Mounting Style SMD/SMT
Number of Channels 1 Channel
Package / Case SOT-23-3
Pd - Power Dissipation 300 mW
Product Category MOSFET
Product Type MOSFET
Product MOSFET Small Signal
Rds On - Drain-Source Resistance 3.5 Ohms
Series BSS138
Subcategory MOSFETs
Technology Si
Transistor Polarity N-Channel
Transistor Type 1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time 20 ns
Typical Turn-On Delay Time 20 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 50 V
Vgs - Gate-Source Voltage -20 V, +20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage 500 mV
Вес, г 0.05

Дмитрий Тест

Хороший проц
Плюсы:
Да
Минусы:
Нет

Андрюшка

Нормуль
Плюсы:
Плюсы!

Заказать звонок

Заполните форму и мы перезвоним вам в течение 10 минут

Нажимая кнопку, я даю согласие на обработку персональных данных