Как мы работаем
По сертификату
"военный регистр"
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
мелкий и крупный опт

Цена по запросу
BSS138BK,215, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 1.14Вт
Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторыТранзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 1.14Вт
Корпус | SOT23(TO-236AB) |
Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C | 360mA |
Power Dissipation-Max (Ta=25В°C) | 350mW |
Rds On - Drain-Source Resistance | 1.6О© @ 350mA,10V |
Transistor Polarity | N Channel |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 60V |
Vgs - Gate-Source Voltage | 1.6V @ 250uA |
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | N |
Maximum Continuous Drain Current | 360 mA |
Maximum Drain Source Resistance | 1.6 Ω |
Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
Maximum Gate Threshold Voltage | 1.6V |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Maximum Power Dissipation | 420 mW |
Minimum Gate Threshold Voltage | 0.48V |
Minimum Operating Temperature | -55 °C |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | SOT-23 |
Pin Count | 3 |
Transistor Configuration | Single |
Transistor Material | Si |
Typical Gate Charge @ Vgs | 0.6 nC @ 4.5 V |
Width | 1.4mm |
Вес, г | 0.05 |