Как мы работаем
По сертификату
"военный регистр"
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
мелкий и крупный опт
Цена по запросу
BSS138LT1G, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 50В 0.2А 0.36Вт, 3.5 Ом
N-Channel Power MOSFET, 50V, ON Semiconductor
Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 50
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 0.22
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 3.5 ом при 0.22a, 10в
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 0.36
Крутизна характеристики, S 0.1
Корпус sot23
Пороговое напряжение на затворе 1.6
Вес, г 0.05
Полезная информация
* MOSFET ДЛЯ ПОВЕРХНОСТНОГО МОНТАЖА
ON Semiconductor
| Напряжение исток-сток макс. | 50В |
| Ток стока макс. | 200мА |
| Сопротивление открытого канала | 3.5 Ом |
| Мощность макс. | 225мВт |
| Тип транзистора | N-канал |
| Особенности | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс. | 1.5В |
| Входная емкость | 50пФ |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Корпус | SOT-23 |
| Вес брутто | 0.03 г. |
| Наименование | BSS138LT1G |
| Производитель | ON Semiconductor |
| Описание Eng | MOSFET N-канал 50В/0.2А/0.36Вт/3.5 Ом |
| Тип упаковки | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка | 3000 шт |
