Как мы работаем

По сертификату
"военный регистр"

Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт

Цена по запросу

BSS138PS,115

Semiconductors\Discrete Semiconductors Описание Транзистор: N-MOSFET x2, полевой, 60В, 200мА, Idm: 1,2А, 420мВт Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET

Категория	Транзистор
Тип	полевой
Вид	MOSFET
Количество Выводов	6вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура	150 C
Монтаж транзистора	Surface Mount
Напряжение Измерения Rds(on)	10В
Напряжение Истока-стока Vds	60В
Непрерывный Ток Стока	320мА
Полярность Транзистора	N Канал
Пороговое Напряжение Vgs	1.2В
Рассеиваемая Мощность	420мВт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)	0.9Ом
Стиль Корпуса Транзистора	SOT-363
Brand	Nexperia
Channel Mode	Enhancement
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity	3000
Id - Continuous Drain Current	320 mA
Manufacturer	Nexperia
Maximum Operating Temperature	+150 C
Minimum Operating Temperature	-55 C
Mounting Style	SMD/SMT
Number of Channels	2 Channel
Package / Case	TSSOP-6
Part # Aliases	934064989115
Pd - Power Dissipation	320 mW
Product Category	MOSFET
Product Type	MOSFET
Qg - Gate Charge	720 pC
Qualification	AEC-Q101
Rds On - Drain-Source Resistance	1.6 Ohms
Subcategory	MOSFETs
Technology	Si
Transistor Polarity	N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	60 V
Vgs - Gate-Source Voltage	-20 V, +20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	900 mV
Channel Type	N
Maximum Continuous Drain Current	320 mA
Maximum Drain Source Resistance	1.6 Ω
Maximum Drain Source Voltage	60 V
Maximum Gate Source Voltage	-20 V, +20 V
Maximum Gate Threshold Voltage	1.5V
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Maximum Power Dissipation	320 mW
Minimum Gate Threshold Voltage	0.9V
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	2
Package Type	SOT-363
Pin Count	6
Transistor Configuration	Isolated
Transistor Material	Si
Typical Gate Charge @ Vgs	0.72 nC @ 4.5 V
Width	1.35mm