Как мы работаем
По сертификату
"военный регистр"
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
мелкий и крупный опт
Цена по запросу
BSS84, Транзистор полевой MOSFET P-канальный 50В 130мА, 0.25Вт
low rDS(on) Small-Signal MOSFETs Field Effect Transistors
Корпус TO236
Структура p-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В -50
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А -0.13
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 10 ом при-0.1a, -5в
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 0.36
Крутизна характеристики, S 270
Корпус sot23
Пороговое напряжение на затворе -2
Вес, г 0.05
YANGZHOU YANGJIE ELECTRONIC CO., LTD.
| Напряжение исток-сток макс. | 50В |
| Ток стока макс. | 130мА |
| Сопротивление открытого канала | 10 Ом |
| Мощность макс. | 360мВт |
| Тип транзистора | P-канал |
| Особенности | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс. | 2В |
| Заряд затвора | 1.3нКл |
| Входная емкость | 73пФ |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Корпус | SOT-23 |
| Вес брутто | 0.05 г. |
| Наименование | BSS84 |
| Производитель | YANGZHOU YANGJIE ELECTRONIC CO., LTD. |
| Описание Eng | MOSFET P-CH 50V 130MA SOT-23 |
| Тип упаковки | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка | 3000 шт |
