Как мы работаем

По сертификату
"военный регистр"

Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт

Цена по запросу

BSS84AK,215, BSS84AK/SOT23/TO-236AB

Semiconductors\Discrete Semiconductors Описание Транзистор P-MOSFET, полевой, -50В, -120мА, 420мВт, SOT23 Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET

Категория	Транзистор
Тип	полевой
Вид	MOSFET
Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C	180mA
Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)	350mW
Rds On - Drain-Source Resistance	7.5О© @ 100mA,10V
Transistor Polarity	P Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	50V
Vgs - Gate-Source Voltage	2.1V @ 250uA
кол-во в упаковке	3000
Channel Mode	Enhancement
Channel Type	P
Maximum Continuous Drain Current	180 mA
Maximum Drain Source Resistance	7.5 Ω
Maximum Drain Source Voltage	50 V
Maximum Gate Source Voltage	-20 V, +20 V
Maximum Gate Threshold Voltage	2.1V
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Maximum Power Dissipation	420 mW
Minimum Gate Threshold Voltage	1.1V
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	1
Package Type	SOT-23
Pin Count	3
Transistor Configuration	Single
Transistor Material	Si
Typical Gate Charge @ Vgs	0.26 nC @ 5 V
Width	1.4mm