Как мы работаем
По сертификату
"военный регистр"
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
мелкий и крупный опт
Цена по запросу
BSZ088N03MSGATMA1, Полевой транзистор N-канальный 30В 11A 8-Pin TSDSON EP
Полевой транзистор N-канальный 30В 11A 8-Pin TSDSON EP
Infineon Technologies
| Напряжение исток-сток макс. | 30В |
| Ток стока макс. | 11A |
| Сопротивление открытого канала | 8 мОм |
| Мощность макс. | 35Вт |
| Тип транзистора | N-канал |
| Особенности | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс. | 2В |
| Заряд затвора | 27нКл |
| Входная емкость | 2100пФ |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Наименование | BSZ088N03MSGATMA1 |
| Производитель | Infineon Technologies |
| Описание Eng | Trans MOSFET N-CH 30V 11A 8-Pin TSDSON EP |
| Нормоупаковка | 5000 шт. |
| Корпус | PG-TSDSON-8 (3.3x3.3) |
