Как мы работаем
По сертификату
"военный регистр"
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
мелкий и крупный опт
Цена по запросу
BSZ12DN20NS3GATMA1, Полевой транзистор N-канальный 200В 11.3A 8-Pin TSDSON EP лента на катушке
Полевой транзистор N-канальный 200В 11.3A 8-Pin TSDSON EP лента на катушке
Infineon Technologies
| Напряжение исток-сток макс. | 200В |
| Ток стока макс. | 11.3A |
| Сопротивление открытого канала | 125 мОм |
| Мощность макс. | 50Вт |
| Тип транзистора | N-канал |
| Пороговое напряжение включения макс. | 4В |
| Заряд затвора | 8.7нКл |
| Входная емкость | 680пФ |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Наименование | BSZ12DN20NS3GATMA1 |
| Производитель | Infineon Technologies |
| Описание Eng | Trans MOSFET N-CH 200V 11.3A 8-Pin TSDSON EP T/R |
| Нормоупаковка | 5000 шт. |
| Корпус | Power33 |
