Как мы работаем

По сертификату
"военный регистр"

Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт

Цена по запросу

Заказать в 1 клик

BUK6Y14-40PX, BUK6Y14-40P/SOT669/LFPAK

Semiconductors\Discrete SemiconductorsМОП-транзистор BUK6Y14-40PX

Id - непрерывный ток утечки	64 A
Pd - рассеивание мощности	110 W
Qg - заряд затвора	42.7 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	14 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	40 V
Vgs - напряжение затвор-исток	20 V, + 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	3 V
Вид монтажа	SMD/SMT
Время нарастания	30 ns
Время спада	555 ns
Другие названия товара №	934661181115
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Конфигурация	Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.	20 S
Максимальная рабочая температура	+ 175 C
Минимальная рабочая температура	55 C
Подкатегория	MOSFETs
Полярность транзистора	P-Channel
Размер фабричной упаковки	1500
Технология	Si
Тип продукта	MOSFET
Тип транзистора	1 P-Channel
Типичное время задержки выключения	82 ns
Типичное время задержки при включении	10 ns
Торговая марка	Nexperia
Упаковка / блок	LFPAK56-4
Channel Type	P Channel
Drain Source On State Resistance	0.011Ом
Power Dissipation	110Вт
Квалификация	AEC-Q101
Количество Выводов	4вывод(-ов)
Линейка Продукции	-
Монтаж транзистора	Surface Mount
Напряжение Измерения Rds(on)	10В
Напряжение Истока-стока Vds	40В
Непрерывный Ток Стока	64А
Пороговое Напряжение Vgs	2В
Рассеиваемая Мощность	110Вт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)	0.011Ом
Стандарты Автомобильной Промышленности	AEC-Q101
Стиль Корпуса Транзистора	LFPAK56
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)	MSL 1-Безлимитный
Application	automotive industry
Case	LFPAK56, PowerSO8, SOT669
Drain current	-46A
Drain-source voltage	-40V
Gate charge	64nC
Gate-source voltage	±20V
Kind of channel	enhanced
Kind of package	reel, tape
Manufacturer	NEXPERIA
Mounting	SMD
On-state resistance	25mΩ
Polarisation	unipolar
Pulsed drain current	-257A
Type of transistor	P-MOSFET