Как мы работаем

По сертификату
"военный регистр"

Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт

Цена по запросу

BUK7M19-60EX, MOSFET BUK7M19-60E/ SOT1210/mLFPAK

Semiconductors\Discrete SemiconductorsAutomotive MOSFETs Nexperia Automotive MOSFETs comprise a range of AEC-Q101-qualified devices that meet the stringent standards set by the automotive industry. These Nexperia automotive devices are designed for an operating environment far more hostile than power MOSFETs used in home and portable applications and are suitable for thermally demanding environments due to a +175°C rating.

Channel Type	N Channel
Drain Source On State Resistance	0.015Ом
Power Dissipation	55Вт
Квалификация	AEC-Q101
Количество Выводов	8вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура	175°C
Монтаж транзистора	Surface Mount
Напряжение Измерения Rds(on)	10В
Напряжение Истока-стока Vds	60В
Непрерывный Ток Стока	36А
Полярность Транзистора	N Канал
Пороговое Напряжение Vgs	3В
Рассеиваемая Мощность	55Вт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)	0.015Ом
Стандарты Автомобильной Промышленности	AEC-Q101
Стиль Корпуса Транзистора	SOT-1210
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)	MSL 1-Безлимитный
Brand	Nexperia
Channel Mode	Enhancement
Configuration	Single
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity	1500
Id - Continuous Drain Current	36 A
Manufacturer	Nexperia
Maximum Operating Temperature	+175 C
Minimum Operating Temperature	-55 C
Mounting Style	SMD/SMT
Number of Channels	1 Channel
Package / Case	LFPAK-33-8
Part # Aliases	934070052115
Pd - Power Dissipation	55 W
Product Category	MOSFET
Product Type	MOSFET
Qg - Gate Charge	17.3 nC
Qualification	AEC-Q101
Rds On - Drain-Source Resistance	19 mOhms
Subcategory	MOSFETs
Technology	Si
Transistor Polarity	N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	60 V
Vgs - Gate-Source Voltage	-20 V, +20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	2.4 V