Как мы работаем
По сертификату
"военный регистр"
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
мелкий и крупный опт
Цена по запросу
BUK7M8R5-40HX, BUK7M8R5-40H/ SOT1210/mLFPAK
Semiconductors\Discrete SemiconductorsLFPAK33 Trench 9 Automotive MOSFETs
Nexperia LFPAK33 Trench 9 Automotive MOSFETs are a portfolio of low R DS(on) 40V AEC-Q101 MOSFETs for modules in demanding powertrain applications. The devices are housed in the miniature, LFPAK33 package with a footprint of only 10.9mm². The LFPAK33 MOSFETs use Nexperia's Trench 9 technology. This results in a 48% reduction in R DS(on) when compared to previous devices. These devices cover a range of applications from 30W up to 300W. BUK7M3R3-40H and BUK9M3R3-40H (Standard Level and Logic Level) devices feature a 3.3mΩ R DS(on).
| Channel Type | N Channel |
| Drain Source On State Resistance | 0.0074Ом |
| Power Dissipation | 59Вт |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
| Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 40В |
| Непрерывный Ток Стока | 40А |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 3В |
| Рассеиваемая Мощность | 59Вт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.0074Ом |
| Стандарты Автомобильной Промышленности | AEC-Q101 |
| Стиль Корпуса Транзистора | LFPAK |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Brand | Nexperia |
| Channel Mode | Enhancement |
| Configuration | Single |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity | 1500 |
| Fall Time | 3.7 ns |
| Id - Continuous Drain Current | 40 A |
| Manufacturer | Nexperia |
| Maximum Operating Temperature | +175 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Package / Case | LFPAK-33-8 |
| Part # Aliases | 934660807115 |
| Pd - Power Dissipation | 59 W |
| Product Category | MOSFET |
| Product Type | MOSFET |
| Qg - Gate Charge | 20 nC |
| Qualification | AEC-Q101 |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 8.5 mOhms |
| Rise Time | 3.2 ns |
| Subcategory | MOSFETs |
| Technology | Si |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Transistor Type | 1 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time | 9.2 ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 5 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 40 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 2.4 V |
Похожие товары
Цена по запросу
Цена по запросу
Цена по запросу
Цена по запросу
