Как мы работаем

По сертификату
"военный регистр"

Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт

Цена по запросу

Заказать в 1 клик

BUK965R8-100E,118, MOSFET BUK965R8-100E/ SOT404/D2PAK

Semiconductors\Discrete SemiconductorsМОП-транзистор N-channel TrenchMOS intermed level FET

Id - непрерывный ток утечки	120 A
Pd - рассеивание мощности	349 W
Qg - заряд затвора	133 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	5.8 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	100 V
Vgs - напряжение затвор-исток	10 V, + 10 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	2.1 V
Вид монтажа	SMD/SMT
Время нарастания	168 ns
Время спада	148 ns
Другие названия товара №	934066497118
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Квалификация	AEC-Q101
Количество каналов	1 Channel
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 175 C
Минимальная рабочая температура	55 C
Подкатегория	MOSFETs
Полярность транзистора	N-Channel
Размер фабричной упаковки	800
Технология	Si
Тип продукта	MOSFET
Тип транзистора	1 N-Channel
Типичное время задержки выключения	237 ns
Типичное время задержки при включении	81 ns
Торговая марка	Nexperia
Упаковка / блок	TO-263-3
кол-во в упаковке	1800