Как мы работаем

По сертификату
"военный регистр"

Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт

Цена по запросу

BUZ11-NR4941, Транзистор, N-канал 50В 30А 0.04Ом [TO-220AB]

Enhancement Mode Field Effect Transistors (FET) are produced using Fairchild’s proprietary, high cell density, DMOS technology.

Структура	N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	50
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А	30
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В	±20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)	0.04 Ом/15А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт	75
Крутизна характеристики, S	8
Корпус	TO-220AB
Пороговое напряжение на затворе	4
Вес, г	2.5