Как мы работаем
По сертификату
"военный регистр"
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
мелкий и крупный опт

Цена по запросу
CM300DY-12NF, IGBT Module
Полупроводники - Дискретные\БТИЗ\БТИЗ Массивы и Модули
Collector Emitter Saturation Voltage | 2.2В |
Collector Emitter Voltage Max | 600В |
Continuous Collector Current | 300А |
DC Ток Коллектора | 300А |
Power Dissipation | 780Вт |
Выводы БТИЗ | Tab |
Конфигурация БТИЗ | Dual(Half Bridge) |
Линейка Продукции | NF Series |
Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
Максимальная Температура Перехода Tj | 150°C |
Монтаж транзистора | Panel |
Напряжение Коллектор-Эмиттер | 600В |
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on) | 1.7В |
Рассеиваемая Мощность | 780Вт |
Стиль Корпуса Транзистора | Module |
Технология БТИЗ | IGBT 5(Trench Gate) |
Время нарастания импульса тока к-э на индуктивной нагрузке,нс | 120 |
Входная емкость затвора,нФ | 45 |
Драйвер управления | VLA503 |
Защита от короткого замыкания | нет |
Защита от перегрева | нет |
Защита от пониженного напряжения питания | нет |
Защита по току | нет |
Макс.напр.к-э,В | 600 |
Максимальная рассеиваимая мощность,Вт | 780 |
Максимальная частота модуляции,кГц | 20 |
Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер (-/ ),В | 6 |
Максимальный ток эмиттера, А | 600 |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В | 1.7 |
Напряжение эмиттер-коллектор,В | 1.7 |
Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 300 |
Структура модуля | полумост |
Тип силового модуля | Сборка на IGBT транзисторах |
Вес, г | 314.4 |