Контакты
с 8:00 до 22:00
без выходных
8 (812) 920-85-20
многоканальный
sales@bastion24.ru Заказать звонок

Как мы работаем

По сертификату
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
CM300DY-12NF, IGBT Module
Цена по запросу

CM300DY-12NF, IGBT Module

Полупроводники - Дискретные\БТИЗ\БТИЗ Массивы и Модули
Collector Emitter Saturation Voltage 2.2В
Collector Emitter Voltage Max 600В
Continuous Collector Current 300А
DC Ток Коллектора 300А
Power Dissipation 780Вт
Выводы БТИЗ Tab
Конфигурация БТИЗ Dual(Half Bridge)
Линейка Продукции NF Series
Максимальная Рабочая Температура 150°C
Максимальная Температура Перехода Tj 150°C
Монтаж транзистора Panel
Напряжение Коллектор-Эмиттер 600В
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on) 1.7В
Рассеиваемая Мощность 780Вт
Стиль Корпуса Транзистора Module
Технология БТИЗ IGBT 5(Trench Gate)
Время нарастания импульса тока к-э на индуктивной нагрузке,нс 120
Входная емкость затвора,нФ 45
Драйвер управления VLA503
Защита от короткого замыкания нет
Защита от перегрева нет
Защита от пониженного напряжения питания нет
Защита по току нет
Макс.напр.к-э,В 600
Максимальная рассеиваимая мощность,Вт 780
Максимальная частота модуляции,кГц 20
Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер (-/ ),В 6
Максимальный ток эмиттера, А 600
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В 1.7
Напряжение эмиттер-коллектор,В 1.7
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 300
Структура модуля полумост
Тип силового модуля Сборка на IGBT транзисторах
Вес, г 314.4

Дмитрий Тест

Хороший проц
Плюсы:
Да
Минусы:
Нет

Андрюшка

Нормуль
Плюсы:
Плюсы!

Заказать звонок

Заполните форму и мы перезвоним вам в течение 10 минут

Нажимая кнопку, я даю согласие на обработку персональных данных