Как мы работаем
По сертификату
"военный регистр"
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
мелкий и крупный опт
![CSD19532Q5B, Транзистор N-MOSFET 100В 100А [VSON-CLIP-8 (5x6)]](/images/placeholder.jpg)
Цена по запросу
CSD19532Q5B, Транзистор N-MOSFET 100В 100А [VSON-CLIP-8 (5x6)]
Мощные N-канальные МОП-транзисторы NexFET
Силовые N-канальные МОП-транзисторы NexFET компании Texas Instruments предназначены для минимизации потерь в приложениях преобразования энергии. Эти N-канальные устройства отличаются сверхнизкими значениями Qg и Qd и низким термическим сопротивлением. Эти устройства защищены от лавин и поставляются в пластиковом корпусе SON размером 5 мм x 6 мм.
Brand | Texas Instruments |
Channel Mode | Enhancement |
Configuration | Single |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity | 2500 |
Fall Time | 6 ns |
Forward Transconductance - Min | 84 S |
Id - Continuous Drain Current | 140 A |
Manufacturer | Texas Instruments |
Maximum Operating Temperature | +150 C |
Minimum Operating Temperature | -55 C |
Mounting Style | SMD/SMT |
Number of Channels | 1 Channel |
Package / Case | VSON-CLIP-8 |
Pd - Power Dissipation | 195 W |
Product Category | MOSFET |
Product Type | MOSFET |
Qg - Gate Charge | 48 nC |
Rds On - Drain-Source Resistance | 4.9 mOhms |
Rise Time | 6 ns |
Series | CSD19532Q5B |
Subcategory | MOSFETs |
Technology | Si |
Tradename | NexFET |
Transistor Polarity | N-Channel |
Transistor Type | 1 N-Channel |
Typical Turn-Off Delay Time | 22 ns |
Typical Turn-On Delay Time | 7 ns |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 100 V |
Vgs - Gate-Source Voltage | -20 V, +20 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 2.2 V |
Вес, г | 0.3 |