Как мы работаем
По сертификату
"военный регистр"
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
мелкий и крупный опт
Цена по запросу
DMN3190LDW-7, Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 30 В, 1 А
Dual N-Channel MOSFET, Diodes Inc.
Максимальная рабочая температура +150 °C
Максимальный непрерывный ток стока 1,3 A
Тип корпуса SOT-363 (SC-88)
Максимальное рассеяние мощности 400 мВт
Тип монтажа Surface Mount
Ширина 1.35мм
Высота 1мм
Размеры 2.2 x 1.35 x 1мм
Материал транзистора Кремний
Количество элементов на ИС 2
Длина 2.2мм
Transistor Configuration Изолированный
Типичное время задержки включения 4.5 ns
Производитель DiodesZetex
Типичное время задержки выключения 30,3 нс
Минимальная рабочая температура -55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage 2.8V
Максимальное сопротивление сток-исток 335 мΩ
Максимальное напряжение сток-исток 30 V
Число контактов 6
Категория Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs 2 нКл при 10 В
Номер канала Поднятие
Типичная входная емкость при Vds 87 пФ при 20 В
Тип канала N
Максимальное напряжение затвор-исток -20 В, +20 В
Вес, г 0.1
Diodes Incorporated
| Тип транзистора | 2N-канальный |
| Особенности | Логическое управление |
| Максимальное напряжение сток-исток | 30 В |
| Маскимальный ток стока | 1 А |
| Максимальная рассеиваемая мощность | 320 мВт |
| Корпус | SOT-363 |
| Вес брутто | 0.037 г. |
| Наименование | DMN3190LDW-7 |
| Производитель | Diodes Incorporated |
| Описание Eng | MOSFET 2N-CH 30V 1A SOT363 |
| Тип упаковки | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка | 3000 шт. |
Похожие товары
Цена по запросу
Цена по запросу
Цена по запросу
Цена по запросу
Цена по запросу
