Как мы работаем
По сертификату
"военный регистр"
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
мелкий и крупный опт

Цена по запросу
DTC114EKAT146, DIGITL NPN 50V 50MA
Semiconductors\Discrete Semiconductors Описание Транзистор биполярный, NPN 0.1A 50В SC59 Характеристики
Категория
Транзистор
Тип
биполярный
Вид
NPN
Категория | Транзистор |
Тип | биполярный |
Вид | NPN |
Pd - рассеивание мощности | 200 mW |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Высота | 1.1 mm |
Длина | 2.9 mm |
Другие названия товара № | DTC114EKA |
Категория продукта | Биполярные транзисторы - С предварительно заданным |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 30 |
Конфигурация | Single |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Непрерывный коллекторный ток | 50 mA |
Пиковый постоянный ток коллектора | 100 mA |
Подкатегория | Transistors |
Полярность транзистора | NPN |
Размер фабричной упаковки | 3000 |
Серия | DTC114EKA |
Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased |
Типичное входное сопротивление | 10 kOhms |
Типичный коэффициент деления резистора | 1 |
Торговая марка | ROHM Semiconductor |
Упаковка / блок | SC-59-3 |
Ширина | 1.6 mm |
Base Product Number | DTC114 -> |
Current - Collector (Ic) (Max) | 50mA |
Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 5mA, 5V |
ECCN | EAR99 |
Frequency - Transition | 250MHz |
HTSUS | 8541.21.0075 |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Mounting Type | Surface Mount |
Other Related Documents | http://rohmfs.rohm.com/en/techdata_basic/transisto |
Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Power - Max | 200mW |
REACH Status | REACH Unaffected |
Resistor - Base (R1) | 10 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | 10 kOhms |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Simulation Models | http://rohmfs.rohm.com/en/products/library/spice/d |
Supplier Device Package | SMT3 |
Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500ВµA, 10mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Collector-Emitter Breakdown Voltage | 50V |
Maximum DC Collector Current | 50mA |
Pd - Power Dissipation | 200mW |
кол-во в упаковке | 3000 |
Base-Emitter Resistor | 10kΩ |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Minimum DC Current Gain | 30 |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | SMT |
Pin Count | 3 |
Transistor Configuration | Single |
Typical Input Resistor | 10 kΩ |
Typical Resistor Ratio | 1 |
Configuration | Single |
Lead Finish | Tin/Silver/Copper |
Max Processing Temp | 260I265 |
Mounting | Surface Mount |
Operating Temperature | -55 to 150 °C |
Peak DC Collector Current | 100 mA |
Type | NPN |