Как мы работаем

По сертификату
"военный регистр"

Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт

Цена по запросу

F3L150R12W2H3B11BPSA1 IGBT Module, 75 A 1200 V Module, Panel Mount

Semiconductors\Discrete Semiconductors\IGBTsThe Infineon IGBT module has 1200 V VCES, 75 A continuous DC collector current, 3 level phase leg IGBT module with active Neutral Point Clamp 2, NTC, high speed IGBT H3 and Press FIT Contact Technology.

Maximum Collector Emitter Voltage	1200 V
Maximum Continuous Collector Current	75 A
Maximum Gate Emitter Voltage	+/-20V
Maximum Power Dissipation	500 W
Mounting Type	Panel Mount
Package Type	Module
Base Product Number	F3L150 ->
Configuration	Three Phase Inverter
Current - Collector (Ic) (Max)	75A
Current - Collector Cutoff (Max)	1mA
ECCN	EAR99
HTSUS	8541.29.0095
Input	Standard
Input Capacitance (Cies) @ Vce	8.7nF @ 25V
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
NTC Thermistor	Yes
Operating Temperature	-40В°C ~ 150В°C
Package	Bulk
Package / Case	Module
Power - Max	500W
REACH Status	REACH Unaffected
Supplier Device Package	Module
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic	1.75V @ 15V, 75A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	1200V
Collector Emitter Saturation Voltage	1.55В
Collector Emitter Voltage Max	1.2кВ
Continuous Collector Current	75А
DC Ток Коллектора	75А
Power Dissipation	500Вт
Выводы БТИЗ	Solder
Конфигурация БТИЗ	Three level Inverter
Линейка Продукции	EasyPACK
Максимальная Рабочая Температура	175°C
Максимальная Температура Перехода Tj	175°C
Монтаж транзистора	Panel
Напряжение Коллектор-Эмиттер	1.2кВ
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on)	1.55В
Рассеиваемая Мощность	500Вт
Стиль Корпуса Транзистора	Module
Технология БТИЗ	IGBT 3 High Speed