Как мы работаем

По сертификату
"военный регистр"

Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт

Цена по запросу

Заказать в 1 клик

F4150R12KS4BOSA1, IGBT, MODULE, N-CH, 1.2KV, 180A

Полупроводники - Дискретные\БТИЗ\БТИЗ Массивы и Модули

Collector Emitter Saturation Voltage	3.2В
Collector Emitter Voltage Max	1.2кВ
Continuous Collector Current	180А
DC Ток Коллектора	180А
Power Dissipation	960Вт
Выводы БТИЗ	Press Fit
Конфигурация БТИЗ	Four Pack
Линейка Продукции	EconoPACK 3
Максимальная Рабочая Температура	125°C
Максимальная Температура Перехода Tj	125°C
Монтаж транзистора	Panel
Напряжение Коллектор-Эмиттер	1.2кВ
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on)	3.2В
Полярность Транзистора	N Канал
Рассеиваемая Мощность	960Вт
Стиль Корпуса Транзистора	Module
Технология БТИЗ	IGBT 2 Fast
Вес, г	0.308