Как мы работаем
По сертификату
"военный регистр"
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
мелкий и крупный опт

Цена по запросу
FCP11N60F, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 11А 0.32 Ом, 125Вт
N-Channel 600V 11A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220-3
Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 11
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±30
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.38 ом при 5.5a, 10в
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 125
Крутизна характеристики, S 9.7
Корпус to220ab
Пороговое напряжение на затворе 3…5
Вес, г 2.5
ON Semiconductor
Напряжение исток-сток макс. | 600В |
Ток стока макс. | 11A |
Сопротивление открытого канала | 380 мОм |
Мощность макс. | 125Вт |
Тип транзистора | N-канал |
Пороговое напряжение включения макс. | 5В |
Заряд затвора | 52нКл |
Входная емкость | 1490пФ |
Тип монтажа | Through Hole |
Корпус | TO-220 |
Вес брутто | 3.5 г. |
Наименование | FCP11N60F |
Производитель | ON Semiconductor |
Описание Eng | MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail |
Тип упаковки | Tube (туба) |
Нормоупаковка | 50 шт |