Контакты
с 8:00 до 22:00
без выходных
8 (812) 920-85-20
многоканальный
info@bastionit.ru Заказать звонок

Как мы работаем

По сертификату
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
FCP11N60F, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 11А 0.32 Ом, 125Вт
Цена по запросу

FCP11N60F, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 11А 0.32 Ом, 125Вт

N-Channel 600V 11A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220-3 Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 600 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 11 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±30 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.38 ом при 5.5a, 10в Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 125 Крутизна характеристики, S 9.7 Корпус to220ab Пороговое напряжение на затворе 3…5 Вес, г 2.5 ON Semiconductor
Напряжение исток-сток макс. 600В
Ток стока макс. 11A
Сопротивление открытого канала 380 мОм
Мощность макс. 125Вт
Тип транзистора N-канал
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора 52нКл
Входная емкость 1490пФ
Тип монтажа Through Hole
Корпус TO-220
Вес брутто 3.5 г.
Наименование FCP11N60F
Производитель ON Semiconductor
Описание Eng MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
Тип упаковки Tube (туба)
Нормоупаковка 50 шт

Дмитрий Тест

Хороший проц
Плюсы:
Да
Минусы:
Нет

Андрюшка

Нормуль
Плюсы:
Плюсы!

Заказать звонок

Заполните форму и мы перезвоним вам в течение 10 минут

Нажимая кнопку, я даю согласие на обработку персональных данных