Как мы работаем
По сертификату
"военный регистр"
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
мелкий и крупный опт
Цена по запросу
FCP11N60N, Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 10.8 А
N-Channel 600V 10.8A (Tc) 94W (Tc) Through Hole TO-220-3
Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 10.8
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±30
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.299 ом при 5.4a, 10в
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 94
Крутизна характеристики, S 13.5
Корпус to221
Пороговое напряжение на затворе 2…4
ON Semiconductor
| Напряжение исток-сток макс. | 600В |
| Ток стока макс. | 10.8A |
| Сопротивление открытого канала | 299 мОм |
| Мощность макс. | 94Вт |
| Тип транзистора | N-канал |
| Пороговое напряжение включения макс. | 4В |
| Заряд затвора | 35.6нКл |
| Входная емкость | 1505пФ |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Корпус | TO-220 |
| Вес брутто | 3.5 г. |
| Наименование | FCP11N60N |
| Производитель | ON Semiconductor |
| Описание Eng | MOSFET N-CH 600V 10.8A TO220 |
| Тип упаковки | Tube (туба) |
| Нормоупаковка | 800 шт. |
