Как мы работаем
По сертификату
"военный регистр"
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
мелкий и крупный опт

Цена по запросу
FCPF7N60, Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 7 А
The FCPF7N60 is a N-channel SuperFET® high voltage super-junction MOSFET utilizes charge balance technology for outstanding low ON-resistance and lower gate charge performance. This technology is tailored to minimize conduction loss, provide superior switching performance, dV/dt rate and higher avalanche energy. Consequently, SuperFET MOSFET is very suitable for the switching power applications such as PFC, server/telecom power, FPD TV power, ATX power and industrial power applications.
• Ultra low gate charge (Qg = 23nC)
• Low effective output capacitance (Coss.eff = 60pF)
• 100% avalanche tested
Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 7
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±30
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.6 ом при 3.5a, 10в
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 83
Крутизна характеристики, S 6
Корпус to220fp
Пороговое напряжение на затворе 3…5
Вес, г 2
ON Semiconductor
Напряжение исток-сток макс. | 600В |
Ток стока макс. | 7A |
Сопротивление открытого канала | 600 мОм |
Мощность макс. | 31Вт |
Тип транзистора | N-канал |
Пороговое напряжение включения макс. | 5В |
Заряд затвора | 30нКл |
Входная емкость | 920пФ |
Тип монтажа | Through Hole |
Корпус | TO-220F |
Вес брутто | 3.5 г. |
Наименование | FCPF7N60 |
Производитель | ON Semiconductor |
Описание Eng | MOSFET N-CH 600V 7A TO220F |
Тип упаковки | Tube (туба) |
Нормоупаковка | 1000 шт. |