Как мы работаем
По сертификату
"военный регистр"
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
мелкий и крупный опт
Цена по запросу
FD150R12RT4HOSA1 IGBT Module, 150 A 1200 V
Semiconductors\Discrete Semiconductors\IGBTsThe infineon IGBT modules with fast trench/fieldstop IGBT4 and emitter controlled 4 diode are the right choice for your design it is suitable for typical applications like high frequency switching applications motor drives, UPS systems.
| Maximum Collector Emitter Voltage | 1200 V |
| Maximum Continuous Collector Current | 150 A |
| Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V |
| Maximum Power Dissipation | 790 W |
| Number of Transistors | 1 |
Похожие товары
Цена по запросу
Цена по запросу
Цена по запросу
Цена по запросу
