Как мы работаем

По сертификату
"военный регистр"

Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт

Цена по запросу

FD200R12KE3HOSA1 IGBT Module, 295 A 1200 V Module, Panel Mount

Semiconductors\Discrete Semiconductors\IGBTsThe Infineon IGBT module is a 62 mm chopper IGBT modules. This IGBT module has 1200V collector emitter voltage and 200A continuous DC collector current.

Maximum Collector Emitter Voltage	1200 V
Maximum Continuous Collector Current	295 A
Maximum Gate Emitter Voltage	+/-20V
Maximum Power Dissipation	1.05 kW
Mounting Type	Panel Mount
Package Type	Module
Collector Emitter Saturation Voltage	1.7В
Collector Emitter Voltage Max	1.2кВ
Continuous Collector Current	295А
DC Ток Коллектора	295А
Power Dissipation	1.05кВт
Выводы БТИЗ	Tab
Конфигурация БТИЗ	Single Chopper
Линейка Продукции	62mm C
Максимальная Рабочая Температура	125°C
Максимальная Температура Перехода Tj	125°C
Монтаж транзистора	Panel
Напряжение Коллектор-Эмиттер	1.2кВ
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on)	1.7В
Полярность Транзистора	N Канал
Рассеиваемая Мощность	1.05кВт
Стиль Корпуса Транзистора	Module
Технология БТИЗ	IGBT 3(Trench/Field Stop)