Как мы работаем
По сертификату
"военный регистр"
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
мелкий и крупный опт

Цена по запросу
FDA20N50F, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 22А 0.23 Ом, 280Вт
N-Channel 500V 22A (Tc) 388W (Tc) Through Hole TO-3PN
Максимальная рабочая температура +150 °C
Максимальный непрерывный ток стока 22 А
Тип корпуса TO-3PN
Максимальное рассеяние мощности 388 Вт
Тип монтажа Монтаж на плату в отверстия
Ширина 5мм
Высота 20.1мм
Размеры 15.8 x 5 x 20.1мм
Материал транзистора Кремний
Количество элементов на ИС 1
Длина 15.8мм
Transistor Configuration Одинарный
Типичное время задержки включения 45 ns
Производитель ON Semiconductor
Типичное время задержки выключения 100 нс
Серия UniFET
Минимальная рабочая температура -55 °C
Minimum Gate Threshold Voltage 3V
Максимальное сопротивление сток-исток 260 мΩ
Максимальное напряжение сток-исток 500 V
Число контактов 2
Категория Высокое напряжение
Типичный заряд затвора при Vgs 50 nC @ 10 V
Номер канала Поднятие
Типичная входная емкость при Vds 2550 pF @ 25 V
Тип канала N
Максимальное напряжение затвор-исток -30 V, +30 V
Вес, г 6.5
ON Semiconductor
Напряжение исток-сток макс. | 500В |
Ток стока макс. | 22A |
Сопротивление открытого канала | 260 мОм |
Мощность макс. | 388Вт |
Тип транзистора | N-канал |
Пороговое напряжение включения макс. | 5В |
Заряд затвора | 65нКл |
Входная емкость | 3390пФ |
Тип монтажа | Through Hole |
Корпус | TO-3P(N) |
Вес брутто | 7.15 г. |
Наименование | FDA20N50F |
Производитель | ON Semiconductor |
Описание Eng | MOSFET N-CH 500V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Rail |
Тип упаковки | Tube (туба) |
Нормоупаковка | 30 шт |