Как мы работаем

По сертификату
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
FDA20N50F, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 22А 0.23 Ом, 280Вт
Цена по запросу

FDA20N50F, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 22А 0.23 Ом, 280Вт

N-Channel 500V 22A (Tc) 388W (Tc) Through Hole TO-3PN Максимальная рабочая температура +150 °C Максимальный непрерывный ток стока 22 А Тип корпуса TO-3PN Максимальное рассеяние мощности 388 Вт Тип монтажа Монтаж на плату в отверстия Ширина 5мм Высота 20.1мм Размеры 15.8 x 5 x 20.1мм Материал транзистора Кремний Количество элементов на ИС 1 Длина 15.8мм Transistor Configuration Одинарный Типичное время задержки включения 45 ns Производитель ON Semiconductor Типичное время задержки выключения 100 нс Серия UniFET Минимальная рабочая температура -55 °C Minimum Gate Threshold Voltage 3V Максимальное сопротивление сток-исток 260 мΩ Максимальное напряжение сток-исток 500 V Число контактов 2 Категория Высокое напряжение Типичный заряд затвора при Vgs 50 nC @ 10 V Номер канала Поднятие Типичная входная емкость при Vds 2550 pF @ 25 V Тип канала N Максимальное напряжение затвор-исток -30 V, +30 V Вес, г 6.5 ON Semiconductor
Напряжение исток-сток макс. 500В
Ток стока макс. 22A
Сопротивление открытого канала 260 мОм
Мощность макс. 388Вт
Тип транзистора N-канал
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора 65нКл
Входная емкость 3390пФ
Тип монтажа Through Hole
Корпус TO-3P(N)
Вес брутто 7.15 г.
Наименование FDA20N50F
Производитель ON Semiconductor
Описание Eng MOSFET N-CH 500V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Rail
Тип упаковки Tube (туба)
Нормоупаковка 30 шт