Как мы работаем
По сертификату
"военный регистр"
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
мелкий и крупный опт
Цена по запросу
FDA38N30, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 300В
The FDA38N30 is an UniFET™ N-channel MOSFET produced using Fairchild Semiconductor's high voltage planar stripe and DMOS technology. It is tailored to reduce ON-state resistance and to provide better switching performance and higher avalanche energy strength. It is suitable for switching power converter applications such as power factor correction (PFC), flat panel display (FPD) TV power, ATX and electronic lamp ballasts.
• 60nC Typical low gate charge
• 60pF Typical low Crss
• 100% Avalanche tested
• ESD Improved capability
Maximum Operating Temperature +150 °C
Number of Elements per Chip 1
Length 16.2мм
Brand ON Semiconductor
Package Type TO-3P
Maximum Power Dissipation 312 W
Mounting Type Монтаж на плату в отверстия
Minimum Operating Temperature -55 °C
Width 5мм
Высота 18.9мм
Pin Count 3
Dimensions 16.2 x 5 x 18.9mm
Вес, г 6.5
ON Semiconductor
| Напряжение исток-сток макс. | 300В |
| Ток стока макс. | 38A |
| Сопротивление открытого канала | 85 мОм |
| Мощность макс. | 312Вт |
| Тип транзистора | N-канал |
| Пороговое напряжение включения макс. | 5В |
| Заряд затвора | 60нКл |
| Входная емкость | 2600пФ |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Корпус | TO-3P(N) |
| Вес брутто | 7.4 г. |
| Наименование | FDA38N30 |
| Производитель | ON Semiconductor |
| Описание Eng | MOSFET N-CH 300V TO-3 |
| Тип упаковки | Tube (туба) |
| Нормоупаковка | 30 шт |
