Как мы работаем
По сертификату
"военный регистр"
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
мелкий и крупный опт
Цена по запросу
FDA59N25, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 59А 390Вт
The FDA59N25 is an UniFET™ N-channel MOSFET produced using Fairchild Semiconductor's high voltage planar stripe and DMOS technology. It is tailored to reduce ON-state resistance and to provide better switching performance and higher avalanche energy strength. It is suitable for switching power converter applications such as power factor correction (PFC), flat panel display (FPD) TV power, ATX and electronic lamp ballasts.
• 63nC Typical low gate charge
• 70pF Typical low Crss
• 100% Avalanche tested
Base Product Number FDA59 ->
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C 59A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 250V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
ECCN EAR99
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 82nC @ 10V
HTSUS 8541.29.0095
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4020pF @ 25V
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55В°C ~ 150В°C (TJ)
Package Tube
Package / Case TO-3P-3, SC-65-3
Power Dissipation (Max) 392W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 49mOhm @ 29.5A, 10V
REACH Status REACH Unaffected
RoHS Status ROHS3 Compliant
Series UniFETв„ў ->
Supplier Device Package TO-3PN
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) В±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250ВµA
Вес, г 6.5
ON Semiconductor
| Напряжение исток-сток макс. | 250В |
| Ток стока макс. | 59A |
| Сопротивление открытого канала | 49 мОм |
| Мощность макс. | 392Вт |
| Тип транзистора | N-канал |
| Пороговое напряжение включения макс. | 5В |
| Заряд затвора | 82нКл |
| Входная емкость | 4020пФ |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Корпус | TO-3P(N) |
| Вес брутто | 6.86 г. |
| Наименование | FDA59N25 |
| Производитель | ON Semiconductor |
| Описание Eng | Field-effect transistor, N-channel, 250 V, 59 A, 390 W |
| Тип упаковки | Tube (туба) |
| Нормоупаковка | 30 шт |
