Как мы работаем
По сертификату
"военный регистр"
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
мелкий и крупный опт
Цена по запросу
FDA59N30, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 300В 59A
Trans MOSFET N-CH 300V 59A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Tube
Корпус TO3P
Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 300
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 59
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±30
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.056 ом при 29.5a, 10в
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 500
Крутизна характеристики, S 52
Корпус TO-3PN
Вес, г 6.5
ON Semiconductor
| Напряжение исток-сток макс. | 300В |
| Ток стока макс. | 59A |
| Сопротивление открытого канала | 56 мОм |
| Мощность макс. | 500Вт |
| Тип транзистора | N-канал |
| Пороговое напряжение включения макс. | 5В |
| Заряд затвора | 100нКл |
| Входная емкость | 4670пФ |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Корпус | TO-3P(N) |
| Вес брутто | 7.61 г. |
| Наименование | FDA59N30 |
| Производитель | ON Semiconductor |
| Описание Eng | MOSFET N-CH 300V 59A TO-3P |
| Тип упаковки | Tube (туба) |
| Нормоупаковка | 30 шт |
