Как мы работаем
По сертификату
"военный регистр"
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
мелкий и крупный опт
Цена по запросу
FDA69N25, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 69A
МОП-транзистор 250V N-Channel МОП-транзистор
Максимальная рабочая температура +150 °C
Максимальный непрерывный ток стока 69 A
Тип корпуса TO-3PN
Максимальное рассеяние мощности 480 Вт
Тип монтажа Монтаж на плату в отверстия
Ширина 5мм
Высота 20.1мм
Размеры 15.8 x 5 x 20.1мм
Материал транзистора Кремний
Количество элементов на ИС 1
Длина 15.8мм
Transistor Configuration Одинарный
Типичное время задержки включения 95 ns
Производитель ON Semiconductor
Типичное время задержки выключения 130 ns
Серия UniFET
Минимальная рабочая температура -55 °C
Minimum Gate Threshold Voltage 3V
Максимальное сопротивление сток-исток 41 мОм
Максимальное напряжение сток-исток 250 В
Число контактов 3
Типичный заряд затвора при Vgs 77 нКл при 10 В
Номер канала Поднятие
Типичная входная емкость при Vds 3570 пФ при 25 В
Тип канала N
Максимальное напряжение затвор-исток -30 V, +30 V
Вес, г 6.5
ON Semiconductor
| Напряжение исток-сток макс. | 250В |
| Ток стока макс. | 69A |
| Сопротивление открытого канала | 41 мОм |
| Мощность макс. | 480Вт |
| Тип транзистора | N-канал |
| Пороговое напряжение включения макс. | 5В |
| Заряд затвора | 100нКл |
| Входная емкость | 4640пФ |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Корпус | TO-3PN |
| Вес брутто | 5.5 г. |
| Наименование | FDA69N25 |
| Производитель | ON Semiconductor |
| Описание Eng | MOSFET N-CH 250V 69A TO-3P |
| Тип упаковки | Tube (туба) |
| Нормоупаковка | 450 шт |
