Как мы работаем

По сертификату
"военный регистр"

Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт

Цена по запросу

FDB12N50TM, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 11.5A D2PAK

Максимальная рабочая температура +150 °C Максимальный непрерывный ток стока 11.5 A Тип корпуса D2PAK (TO-263) Максимальное рассеяние мощности 165 Вт Тип монтажа Поверхностный монтаж Ширина 9.65мм Высота 4.83мм Размеры 10.67 x 9.65 x 4.83мм Материал транзистора Кремний Количество элементов на ИС 1 Длина 10.67мм Transistor Configuration Одинарный Типичное время задержки включения 25 ns Производитель ON Semiconductor Типичное время задержки выключения 45 ns Серия UniFET Минимальная рабочая температура -55 °C Minimum Gate Threshold Voltage 3V Максимальное сопротивление сток-исток 650 mΩ Максимальное напряжение сток-исток 500 V Число контактов 3 Типичный заряд затвора при Vgs 22 nC @ 10 V Номер канала Поднятие Типичная входная емкость при Vds 985 пФ при 25 В Тип канала N Максимальное напряжение затвор-исток -30 V, +30 V Вес, г 2.5 ON Semiconductor

Напряжение исток-сток макс.	500В
Ток стока макс.	11.5А
Тип транзистора	N-канальный
Тип монтажа	Surface Mount
Корпус	D2PAK/TO263
Наименование	FDB12N50TM
Производитель	ON Semiconductor
Описание Eng	MOSFET N-CH 500V 11.5A D2PAK
Нормоупаковка	800 шт.