Как мы работаем
По сертификату
"военный регистр"
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
мелкий и крупный опт
Цена по запросу
FDC655BN, Транзистор полевой N-канальный 30В 6.3A
PowerTrench® N-Channel MOSFET, up to 9.9A, Fairchild Semiconductor
Maximum Operating Temperature +150 °C
Maximum Continuous Drain Current 6.3 A
Package Type SOT-23
Maximum Power Dissipation 1.6 W
Mounting Type Surface Mount
Width 1.7mm
Height 1mm
Dimensions 3 x 1.7 x 1mm
Transistor Material Si
Number of Elements per Chip 1
Length 3mm
Transistor Configuration Single
Typical Turn-On Delay Time 6 ns
Brand ON Semiconductor
Typical Turn-Off Delay Time 15 ns
Series PowerTrench
Minimum Operating Temperature -55 °C
Minimum Gate Threshold Voltage 1V
Maximum Drain Source Resistance 36 mΩ
Maximum Drain Source Voltage 30 V
Pin Count 6
Category Power MOSFET
Typical Gate Charge @ Vgs 5 nC @ 5 V, 9 nC @ 10 V
Channel Mode Enhancement
Typical Input Capacitance @ Vds 470 pF @ 15 V
Channel Type N
Maximum Gate Source Voltage -20 V, +20 V
Вес, г 0.08
ON Semiconductor
| Напряжение исток-сток макс. | 30В |
| Ток стока макс. | 6.3A |
| Сопротивление открытого канала | 25 мОм |
| Мощность макс. | 800мВт |
| Тип транзистора | N-канал |
| Особенности | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс. | 3В |
| Заряд затвора | 15нКл |
| Входная емкость | 570пФ |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Корпус | SSOT6 |
| Наименование | FDC655BN |
| Производитель | ON Semiconductor |
| Описание Eng | MOSFET N-CH 30V 6.3A SSOT-6 |
| Тип упаковки | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка | 3000 шт |
