Как мы работаем
По сертификату
"военный регистр"
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
мелкий и крупный опт
Цена по запросу
FDD306P, Полевой транзистор, P-канальный, 12 В, 6.7 А
Полевой транзистор, P-канальный, 12 В, 6.7 А
ON Semiconductor
| Напряжение исток-сток макс. | 12В |
| Ток стока макс. | 6.7A |
| Сопротивление открытого канала | 28 мОм |
| Мощность макс. | 1.6Вт |
| Тип транзистора | P-канал |
| Особенности | Logic Level Gate, 1.8V Drive |
| Пороговое напряжение включения макс. | 1.5В |
| Заряд затвора | 21нКл |
| Входная емкость | 1290пФ |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Корпус | DPAK/TO-252AA |
| Наименование | FDD306P |
| Производитель | ON Semiconductor |
| Описание Eng | MOSFET P-CH 12V 6.7A DPAK |
| Тип упаковки | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка | 2500 шт. |
