Как мы работаем
По сертификату
"военный регистр"
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
мелкий и крупный опт
Цена по запросу
FDD6635, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 35В 59А 0.010 Ом
Корпус TO252
Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 35
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 59
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.01 ом при 15a, 10в
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 55
Крутизна характеристики, S 53
Корпус dpak
Вес, г 0.4
ON Semiconductor
| Напряжение исток-сток макс. | 35В |
| Ток стока макс. | 15A |
| Сопротивление открытого канала | 10 мОм |
| Мощность макс. | 1.6Вт |
| Тип транзистора | N-канал |
| Особенности | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс. | 3В |
| Заряд затвора | 36нКл |
| Входная емкость | 1400пФ |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Корпус | DPAK/TO-252AA |
| Вес брутто | 0.66 г. |
| Наименование | FDD6635 |
| Производитель | ON Semiconductor |
| Описание Eng | Field-effect transistor, N-channel, 35V 59A 0.010 Ohm |
| Тип упаковки | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка | 2500 шт |
