Как мы работаем
По сертификату
"военный регистр"
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
мелкий и крупный опт
Цена по запросу
FDN302P, Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 2.4А 0.08 Ом, 0.5Вт
The FDN302P is a -20V P-channel 2.5V Specified PowerTrench® MOSFET has been specially tailored to minimize the on-state resistance and to maintain low gate charge for superior switching performance. Fairchild's the latest medium voltage power MOSFET is optimized power switches combining small gate charge (QG), small reverse recovery charge (Qrr) and soft reverse recovery body diode, which contributes fast switching for synchronous rectification in AC/DC power supplies. It employs shielded-gate structure that provides charge balance. By utilizing this advanced technology, the FOM (figure of merit (QGxRDS(ON))) of these devices is 66% lower than that of previous generation. Soft body diode performance of new PowerTrench® MOSFET is able to eliminate snubber circuit or replace higher voltage rating - MOSFET need circuit because it can minimize the undesirable voltage spikes in synchronous rectification. This product is general usage and suitable for many different applications.
• High performance trench technology for extremely low RDS (on)
Максимальная рабочая температура +150 °C
Максимальный непрерывный ток стока 2.4 A
Тип корпуса SOT-23
Максимальное рассеяние мощности 500 мВт
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Ширина 1.4мм
Высота 0.94мм
Размеры 2.92 x 1.4 x 0.94мм
Материал транзистора SI
Количество элементов на ИС 1
Длина 2.92мм
Transistor Configuration Одинарный
Типичное время задержки включения 13 ns
Производитель ON Semiconductor
Типичное время задержки выключения 25 нс
Серия PowerTrench
Минимальная рабочая температура -55 °C
Minimum Gate Threshold Voltage 0.6V
Максимальное сопротивление сток-исток 55 mΩ
Максимальное напряжение сток-исток 20 V
Число контактов 3
Категория Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs 9 nC @ 4.5 V
Номер канала Поднятие
Типичная входная емкость при Vds 882 пФ при 10 В
Тип канала P
Максимальное напряжение затвор-исток -12 В, +12 В
Вес, г 0.05
ON Semiconductor
| Напряжение исток-сток макс. | 20В |
| Ток стока макс. | 2.4A |
| Сопротивление открытого канала | 55 мОм |
| Мощность макс. | 460мВт |
| Тип транзистора | P-канал |
| Особенности | Logic Level Gate, 2.5V Drive |
| Пороговое напряжение включения макс. | 1.5В |
| Заряд затвора | 14нКл |
| Входная емкость | 882пФ |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Корпус | SOT-23 (SuperSOT-3) |
| Вес брутто | 0.03 г. |
| Наименование | FDN302P |
| Производитель | ON Semiconductor |
| Описание Eng | MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SuperSOT T/R |
| Тип упаковки | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка | 3000 шт |
