Как мы работаем
По сертификату
"военный регистр"
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
мелкий и крупный опт
Цена по запросу
FDN306P, Транзистор полевой MOSFET P-канальный 12В 2,6А 0.04 Ом, 0.5Вт
MOSFET, P, SMD, SSOT-3; Transistor Type: MOSFET; Transistor Polarity: P; Voltage, Vds Typ: -12V; Current, Id Cont: -2.6A; Resistance, Rds On: 40mohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement: -4.5V; Voltage, Vgs th Typ: -0.6V; Case Style: SuperSOT-3; Termination Type: SMD
Корпус TO236
Структура p-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В -12
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А -2.6
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±8
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.04 ом при-2.6a, -4.5в
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 0.5
Крутизна характеристики, S 10
Корпус supersot3
Особенности мобильные приложения
Пороговое напряжение на затворе -0.4…-1.5
Вес, г 0.041
ON Semiconductor
| Напряжение исток-сток макс. | 12В |
| Ток стока макс. | 2.6A |
| Сопротивление открытого канала | 40 мОм |
| Мощность макс. | 460мВт |
| Тип транзистора | P-канал |
| Особенности | Logic Level Gate, 1.8V Drive |
| Пороговое напряжение включения макс. | 1.5В |
| Заряд затвора | 17нКл |
| Входная емкость | 1138пФ |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Корпус | SOT-23 (SuperSOT-3) |
| Вес брутто | 0.04 г. |
| Наименование | FDN306P |
| Производитель | ON Semiconductor |
| Описание Eng | MOSFET P-CH 12V 2.6A 3-Pin SuperSOT T/R |
| Тип упаковки | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка | 3000 шт |
