Как мы работаем
По сертификату
"военный регистр"
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
мелкий и крупный опт
Цена по запросу
FDN358P, Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 1.5А 0.5Вт, 0.06 Ом
The FDN358P is a P-channel Logic Level MOSFET produced using Fairchild Semiconductor advanced PowerTrench® process. It has been especially tailored to minimize the ON-state resistance and yet maintain low gate charge for superior switching performance. It comes with high power version of industry standard SOT-23 package. Identical pin-out to SOT-23 with 30% higher power handling capability. It is well suited for load switching, battery charging circuits and DC-to-DC conversion application.
• High performance Trench technology for extremely low RDS (ON)
• 4nC Typical low gate charge
Максимальная рабочая температура +150 °C
Максимальный непрерывный ток стока 1,5 А
Тип корпуса SOT-23
Максимальное рассеяние мощности 500 мВт
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Ширина 1.4мм
Высота 0.94мм
Размеры 2.92 x 1.4 x 0.94мм
Материал транзистора SI
Количество элементов на ИС 1
Длина 2.92мм
Transistor Configuration Одинарный
Типичное время задержки включения 5 нс
Производитель ON Semiconductor
Типичное время задержки выключения 12 нс
Серия PowerTrench
Минимальная рабочая температура -55 °C
Minimum Gate Threshold Voltage 1V
Максимальное сопротивление сток-исток 125 мΩ
Максимальное напряжение сток-исток 30 V
Число контактов 3
Категория Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs 4 нКл при 10 В
Номер канала Поднятие
Типичная входная емкость при Vds 182 пФ при 15 В
Тип канала P
Максимальное напряжение затвор-исток -20 В, +20 В
Вес, г 0.05
ON Semiconductor
| Напряжение исток-сток макс. | 30В |
| Ток стока макс. | 1.5A |
| Сопротивление открытого канала | 125 мОм |
| Мощность макс. | 460мВт |
| Тип транзистора | P-канал |
| Особенности | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс. | 3В |
| Заряд затвора | 5.6нКл |
| Входная емкость | 182пФ |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Корпус | SOT-23 (SuperSOT-3) |
| Вес брутто | 0.03 г. |
| Наименование | FDN358P |
| Производитель | ON Semiconductor |
| Описание Eng | MOSFET P-CH 30V 1.5A 3-Pin SuperSOT T/R |
| Тип упаковки | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка | 3000 шт |
