Как мы работаем

По сертификату
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
FDN359BN, Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 2.7 А
Цена по запросу

FDN359BN, Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 2.7 А

Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 2.7 А ON Semiconductor
Напряжение исток-сток макс. 30В
Ток стока макс. 2.7A
Сопротивление открытого канала 46 мОм
Мощность макс. 460мВт
Тип транзистора N-канал
Особенности Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора 7нКл
Входная емкость 650пФ
Тип монтажа Surface Mount
Корпус SOT23-3
Вес брутто 0.02 г.
Наименование FDN359BN
Производитель ON Semiconductor
Описание Eng MOSFET N-CH 30V 2.7A 3SSOT
Тип упаковки Tape and Reel (лента в катушке)
Нормоупаковка 3000 шт.