Как мы работаем
По сертификату
"военный регистр"
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
мелкий и крупный опт
Цена по запросу
FDN360P, Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 2А 0.08 Ом, 0.5Вт
МОП-транзистор с P-каналом; напряжение сток-исток -30 В; ток стока -2 А, сопротивление открытого канала 0.08 Ом; напряжение исток-затвор 20 В; заряд затвора 6.2 нКл; мощность рассеивания 0.5 Вт; корпус SuperSOT-3
Корпус TO236
Максимальная рабочая температура +150 °C
Максимальный непрерывный ток стока 2 A
Тип корпуса SOT-23
Максимальное рассеяние мощности 500 мВт
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Ширина 1.4мм
Высота 0.94мм
Размеры 2.92 x 1.4 x 0.94мм
Материал транзистора SI
Количество элементов на ИС 1
Длина 2.92мм
Transistor Configuration Одинарный
Типичное время задержки включения 6 нс
Производитель ON Semiconductor
Типичное время задержки выключения 11 ns
Серия PowerTrench
Минимальная рабочая температура -55 °C
Minimum Gate Threshold Voltage 1V
Максимальное сопротивление сток-исток 80 мОм
Максимальное напряжение сток-исток 30 V
Число контактов 3
Категория Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs 6,2 нКл при 10 В
Номер канала Поднятие
Типичная входная емкость при Vds 298 pF @ 15 V
Тип канала P
Максимальное напряжение затвор-исток -20 В, +20 В
Вес, г 0.05
ON Semiconductor
| Напряжение исток-сток макс. | 30В |
| Ток стока макс. | 2A |
| Сопротивление открытого канала | 80 мОм |
| Мощность макс. | 460мВт |
| Тип транзистора | P-канал |
| Особенности | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс. | 3В |
| Заряд затвора | 9нКл |
| Входная емкость | 298пФ |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Корпус | SOT-23 (SuperSOT-3) |
| Вес брутто | 0.04 г. |
| Наименование | FDN360P |
| Производитель | ON Semiconductor |
| Описание Eng | MOSFET P-CH 30V 2A 3-Pin SuperSOT T/R |
| Тип упаковки | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка | 3000 шт |
