Как мы работаем
По сертификату
"военный регистр"
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
мелкий и крупный опт
Цена по запросу
FDP047N10, Транзистор полевой N-канальный 100В 120A
N-Channel 100V 120A (Tc) 375W (Tc) Through Hole TO-220-3
Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 164
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.0047 ом при 75a, 10в
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 375
Крутизна характеристики, S 170
Корпус to220ab
Пороговое напряжение на затворе 2.5…4.5
ON Semiconductor
| Напряжение исток-сток макс. | 100В |
| Ток стока макс. | 120A |
| Сопротивление открытого канала | 4.7 мОм |
| Мощность макс. | 375Вт |
| Тип транзистора | N-канал |
| Пороговое напряжение включения макс. | 4.5В |
| Заряд затвора | 210нКл |
| Входная емкость | 15265пФ |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Корпус | TO-220 |
| Вес брутто | 3.5 г. |
| Наименование | FDP047N10 |
| Производитель | ON Semiconductor |
| Описание Eng | MOSFET N-CH 100V 120A TO-220 |
| Тип упаковки | Tube (туба) |
| Нормоупаковка | 1000 шт. |
